为拓宽师生国际学术视野，追踪学科前沿动态，加强国际学术交流合作，5月27日下午，物理与电子工程学院邀请俄罗斯科学院固体物理研究院学术委员会秘书、副院长、中俄国际“功能材料”联合实验室俄方成员阿·尼·捷列先科教授在线上做“单晶硅中缺陷系统的辐射特性”的学术报告。报告会由物理与电子工程学院副院长孙明烨主持，东方语言学院教师王兴华翻译，物理与电子工程学院60余名师生代表参加。

报告中，阿·尼·捷列先科教授围绕“硅基光电集成芯片的核心瓶颈——硅基材料因间接带隙难以实现高效发光”的问题，深入浅出地介绍了相关国际最新研究进展、面临的挑战以及未来发展趋势。他表示通过缺陷工程，采用离子注入硼掺杂结合退火工艺，可有效调控硅的发光特性，硼杂质在特定温度范围会触发反常发光增强效应。在互动环节，我院师生与阿·尼·捷列先科教授就硼在调控硅基材料发光性能中的具体作用机制以及退火热处理导致D1谱线峰偏移的物理本质问题进行了深入交流。

本次学术报告有效促进了师生对国际学术前沿研究的了解。下一步，物理与电子工程学院将发挥好俄罗斯科学院院士团队作用，与俄罗斯科学院固体物理研究院深入交流，围绕产学研用一体化育人持续开展务实合作，推动中俄国际“功能材料”联合实验室建设，提高我院科学研究水平和成果转化能力。

来源、撰稿、图片：物理与电子工程学院

编辑：朱杰

审核：陈晓东